Basit öğe kaydını göster

Optical And Electrical Properties Of Modulation Doped N And P Type Gainnas/Gaas Quantum Wells For 1.3 Micron Laser Applications

dc.contributor.authorSun, Y.
dc.contributor.authorARIKAN, Mehmet Çetin
dc.contributor.authorEROL, Ayşe
dc.contributor.authorBalkan , Naci
dc.date.accessioned2021-03-05T13:17:59Z
dc.date.available2021-03-05T13:17:59Z
dc.identifier.citationSun Y., EROL A., Balkan N., ARIKAN M. Ç. , "Optical And Electrical Properties Of Modulation Doped N And P Type Gainnas/Gaas Quantum Wells For 1.3 Micron Laser Applications", OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, cilt.40, ss.467-474, 2007
dc.identifier.issn0306-8919
dc.identifier.othervv_1032021
dc.identifier.otherav_b1863dd9-c38f-467c-a321-1662602a352c
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12627/118274
dc.language.isoeng
dc.subjectFizik
dc.subjectTemel Bilimler (SCI)
dc.subjectTemel Bilimler
dc.titleOptical And Electrical Properties Of Modulation Doped N And P Type Gainnas/Gaas Quantum Wells For 1.3 Micron Laser Applications
dc.typeMakale
dc.relation.journalOPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS
dc.contributor.department, ,
dc.identifier.volume40
dc.identifier.startpage467
dc.identifier.endpage474
dc.contributor.firstauthorID278408


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster