Basit öğe kaydını göster

dc.contributor.authorDÖNMEZ, Ömer
dc.contributor.authorEROL, Ayşe
dc.contributor.authorÇETİNKAYA, ÇAĞLAR
dc.contributor.authorPuustinen, Jane
dc.contributor.authorMircea, Guina
dc.contributor.authorArıkan, Çetin
dc.date.accessioned2021-03-03T09:52:48Z
dc.date.available2021-03-03T09:52:48Z
dc.identifier.citationÇETİNKAYA Ç., DÖNMEZ Ö., EROL A., Arıkan Ç., Puustinen J., Mircea G., "Electronic Transport in n- and p-type modulation doped Ga1-xInxNyAs1-y /GaAs quantum well structures", 30th International Physics Congress by Turkish Physical Society, Muğla, Türkiye, 1 - 02 Eylül 2013, ss.1
dc.identifier.othervv_1032021
dc.identifier.otherav_1f520b40-0766-470f-afb6-ed0965fb3659
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12627/26189
dc.language.isoeng
dc.subjectTemel Bilimler
dc.subjectFizik
dc.subjectTemel Bilimler (SCI)
dc.titleElectronic Transport in n- and p-type modulation doped Ga1-xInxNyAs1-y /GaAs quantum well structures
dc.typeBildiri
dc.contributor.departmentDiğer Kurumlar , ,
dc.contributor.firstauthorID353755


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster